Технические детали

• Пакет/кейс TO-3P-3, SC-65-3
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 300W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика TO-3P
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2840 pF @ 25 V