Инвентаризация:15212

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 9.3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 62 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1980 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON

Инвентаризация: 41888

MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON

Инвентаризация: 16229

MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP

Инвентаризация: 12965

DIODE ZENER 12V 500MW SOD523

Инвентаризация: 18638

MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Инвентаризация: 65250

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

Инвентаризация: 107467

Top