Инвентаризация:8248

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.9A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 295mOhm @ 4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1190 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

Инвентаризация: 94740

MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP

Инвентаризация: 42

MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

Инвентаризация: 11515

MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK

Инвентаризация: 16597

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

Инвентаризация: 9016

MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8

Инвентаризация: 41854

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Инвентаризация: 7949

Top