Инвентаризация:6478

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 115mOhm @ 3.9A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 600 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON

Инвентаризация: 12474

MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8

Инвентаризация: 8096

MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8

Инвентаризация: 2977

N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

Инвентаризация: 14837

Top