Технические детали

• Пакет/кейс 9-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 42A (Ta), 445A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 50A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 333W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.3V @ 163µA
• Пакет устройств поставщика PG-TTFN-9-U02
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 150 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 12000 pF @ 30 V