- Модель продукта G50N03J
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 0
- Описание MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-251-3 Stub Leads, IPAK
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 65A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7mOhm @ 20A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 48W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-251
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A
Инвентаризация: 3529
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Инвентаризация: 188
MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Инвентаризация: 5000
N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Инвентаризация: 3559
MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Инвентаризация: 3000
N60V, 50A,RD<17M@10V,VTH1.0V~2.0
Инвентаризация: 13
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
Инвентаризация: 3000
P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
Инвентаризация: 3000
MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 3
Инвентаризация: 733
