- Модель продукта G60N06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17mOhm @ 5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 85W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
Сопутствующие товары
TRANS PNP 230V 15A TO3P
Инвентаризация: 6881
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Инвентаризация: 188
MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Инвентаризация: 5000
MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Инвентаризация: 15000
N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Инвентаризация: 3559
MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Инвентаризация: 3000
MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220
Инвентаризация: 184
MOSFET N-CH 40 60A TO-220
Инвентаризация: 5000
MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Инвентаризация: 0
