Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 46A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 17.6A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 150W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 4.84mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 64 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1593 pF @ 400 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

Инвентаризация: 879

GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 900V 73A TO247-4

Инвентаризация: 2190

GEN 3 650V 49A SIC MOSFET

Инвентаризация: 19

SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I

Инвентаризация: 0

SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 242

SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 0

SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 316

SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 400

Top