Инвентаризация:1523

Технические детали

  • Пакет/кейс SP6
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 1250W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 372A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 28900pF @ 25V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5mOhm @ 186A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 560nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика SP6

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

Инвентаризация: 6

MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC

Инвентаризация: 2779

MOSFET N-CH 75V 400A TO247AD

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 75V 500A 24SMPD

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 200V 280A LP8

Инвентаризация: 3

MOSFET 6N-CH 200V 108A SP3X

Инвентаризация: 10

MOSFET 2N-CH 200V/40V 16A DIE

Инвентаризация: 0

Top