Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс Die
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual), P-Channel
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 50W (Tc), 48W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200V, 40V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16A (Tc), 30A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1474pF @ 20V, 600pF @ 100V, 1302pF @ 100V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 75mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 23nC @ 10V, 11nC @ 10V, 30.2nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика Die
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

Инвентаризация: 23

Top