Инвентаризация:1510

Технические детали

  • Пакет/кейс Module
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Конфигурация 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • Рабочая Температура -40°C ~ 125°C (Tc)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 341W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 108A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10700pF @ 50V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 81A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 161nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SP3X

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

Инвентаризация: 23

SIC 6N-CH 1200V 40A MODULE

Инвентаризация: 68

Top