Инвентаризация:22564

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-UFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 770mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 495mOhm @ 400mA, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 430mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика X1-DFN1006-3
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.5 nC @ 8 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 76.5 pF @ 10 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

Инвентаризация: 10005

MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8

Инвентаризация: 22029

Top