Инвентаризация:7120

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 68mOhm @ 8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 33.8W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-PPAK (3.1x3.05)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 23 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1260 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 9586

MOSFET P-CH 60V 14A TO252

Инвентаризация: 16587

P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,

Инвентаризация: 3523

P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-

Инвентаризация: 1601

TRENCH 40<-<100V

Инвентаризация: 4435

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 5000

PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3

Инвентаризация: 0

Top