Инвентаризация:5023

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-SOP
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 49 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2719 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO

Инвентаризация: 13831

MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO

Инвентаризация: 5705

MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26

Инвентаризация: 68808

MOSFET P-CH 60V 14A TO252

Инвентаризация: 16587

P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-

Инвентаризация: 1704

MOSFET P-CH 60V 12A TO-252

Инвентаризация: 60000

MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V

Инвентаризация: 5620

Top