Инвентаризация:6500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.2A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN3333-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 879 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 9586

P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-

Инвентаризация: 1601

IC GATE AND 1CH 2-INP 6SON

Инвентаризация: 7415

MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -60V

Инвентаризация: 5620

Top