- Модель продукта G200P04D3
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание P-40V,-20A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 75mOhm @ 6A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 30W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 8-DFN (3.15x3.05)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 54 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2662 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
Инвентаризация: 257838
P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Инвентаризация: 5000
MOSFET P-CH 30V 30A DFN3*3-8L
Инвентаризация: 5000
MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Инвентаризация: 2033
MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
Инвентаризация: 10000
P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 1601
N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Инвентаризация: 4890
MOSFET N-CH 40V 120A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 50000
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Инвентаризация: 10677
