Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerWDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.5A (Ta), 18A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.5A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2.3W (Ta), 31W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-MLP (3.3x3.3)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±25V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2045 pF @ 15 V