Инвентаризация:1940

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 39A (Tj)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 78mOhm @ 13A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 165W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 6.67mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 58 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 852 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 9107

650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 430

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L

Инвентаризация: 350

650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 371

750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4859

Top