Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Ta), 63A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 28A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 94W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 35µA
• Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 3.3V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 120 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1800 pF @ 60 V