Инвентаризация:2105

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 3W (Ta), 60W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 79A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 978pF @ 20V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 25A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13.9nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8 (Type UXD)
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 79A POWERDI50

Инвентаризация: 90

MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33

Инвентаризация: 16085

MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN

Инвентаризация: 1273

MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D

Инвентаризация: 1812

MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8

Инвентаризация: 1243

Top