Инвентаризация:51457

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-UFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 440mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 450mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 100µA
  • Пакет устройств поставщика X1-DFN1006-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4V
  • ВГС (Макс) ±10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN

Инвентаризация: 53390

MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Инвентаризация: 754050

MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8

Инвентаризация: 3961

Top