- Модель продукта GT045N10M
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2194
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 30A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 180W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-263
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 60 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4198 pF @ 50 V