- Модель продукта G900P15T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 100W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3932 pF @ 75 V
Сопутствующие товары
P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
Инвентаризация: 3000
MOSFET P-CH 200V 48A TO247
Инвентаризация: 870
MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 150V 44A TO220AB
Инвентаризация: 295
MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Инвентаризация: 10
