Инвентаризация:4854

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 310A (Tj)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 60A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 188W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 130µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-53
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 160 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11400 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


IAUC120N04S6L005ATMA1

Инвентаризация: 4149

IAUC120N04S6N006ATMA1

Инвентаризация: 7540

MOSFET_)40V 60V)

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF

Инвентаризация: 8967

TRENCH 40<-<100V

Инвентаризация: 4831

MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN

Инвентаризация: 0

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

Инвентаризация: 6176

Top