- Модель продукта G16N03S
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N30V, 16A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5376
Технические детали
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10mOhm @ 10A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 8-SOP
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 950 pF @ 15 V