- Модель продукта IQE006NE2LM5SCATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7344
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerWDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 47A (Ta), 310A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 0.58mOhm @ 20A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta), 89W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PG-WHSON-8-1
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±16V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 82 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5453 pF @ 12 V