Инвентаризация:5414

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 41A (Ta), 298A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 650mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta), 89W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TSON-8-4
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±16V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 82.1 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5453 pF @ 12 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK

Инвентаризация: 9805

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

Инвентаризация: 4598

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

Инвентаризация: 5844

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Инвентаризация: 7539

Top