Технические детали

• Пакет/кейс 9-PowerWDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 31A (Ta), 205A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.35mOhm @ 20A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 107W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 51µA
• Пакет устройств поставщика PG-WHTFN-9-1
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 41 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3800 pF @ 20 V