- Модель продукта IPF042N10NF2SATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1781
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Ta), 139A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.25mOhm @ 80A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 167W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.8V @ 93µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO263-7
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 85 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4000 pF @ 50 V