Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 7-PowerWQFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 48A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 25A, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 7mA
  • Пакет устройств поставщика 7-QFN (3x5)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16.3 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2366 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


TRANS GAN BUMPED DIE

Инвентаризация: 12647

GANFET N-CH 100V DIE

Инвентаризация: 15356

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Инвентаризация: 49640

TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN

Инвентаризация: 6403

TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN

Инвентаризация: 25364

TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN

Инвентаризация: 51406

TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA

Инвентаризация: 7026

100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 815

Top