Инвентаризация:4204

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® SO-8 Dual
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 1.4W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.8A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 49mOhm @ 5.9A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 24nC @ 10V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB

Инвентаризация: 265

MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23

Инвентаризация: 28791

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC

Инвентаризация: 19719

MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212

Инвентаризация: 7959

Top