- Модель продукта SI5908DC-T1-E3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:3848
Технические детали
- Пакет/кейс 8-SMD, Flat Lead
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 1.1W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.4A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 1206-8 ChipFET™
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Инвентаризация: 273803
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Инвентаризация: 11880
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Инвентаризация: 13755
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Инвентаризация: 1442
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Инвентаризация: 10348
