- Модель продукта G12P10K
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2571
Технические детали
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 57W
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-252 (DPAK)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 33 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1720 pF @ 50 V