- Модель продукта SIDR510EP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 0
- Описание N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7480
Технические детали
- Пакет/кейс PowerPAK® SO-8
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33A (Ta), 148A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8DC
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 7.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 81 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4980 pF @ 50 V