Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс Module
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Конфигурация 4 N-Channel (Three Level Inverter)
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии Silicon Carbide (SiC)
  • Мощность - Макс. 602W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700V (1.7kV)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 124A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6600pF @ 1000V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 60A, 20V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 356nC @ 20V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.2V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика SP3F

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 700V 124A SOT227

Инвентаризация: 6

SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227

Инвентаризация: 0

SIC 4N-CH 1200V 89A SP3F

Инвентаризация: 3

SIC 4N-CH 1200V 55A SP3F

Инвентаризация: 6

SIC 2N-CH 1700V 240A

Инвентаризация: 0

SIC 4N-CH 1700V 179A

Инвентаризация: 13

SIC 6N-CH 1700V 179A

Инвентаризация: 10

SIC 4N-CH 700V 241A MODULE

Инвентаризация: 15

Top