Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Ta), 178A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 88A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 3.9W (Ta), 267W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 450µA
• Пакет устройств поставщика 8-TDFNW (8.3x8.4)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 159 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10450 pF @ 50 V