Инвентаризация:1870

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 47A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 25.8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 480W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1.72mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247G
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 150 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3800 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER

Инвентаризация: 124

MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3

Инвентаризация: 0

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Инвентаризация: 983

N-CHANNEL POWER MOSFET

Инвентаризация: 370

N-CHANNEL POWER MOSFET

Инвентаризация: 3000

MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3

Инвентаризация: 403

MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC

Инвентаризация: 374

E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,

Инвентаризация: 279

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Инвентаризация: 386

Top