- Модель продукта IPD60R360P7SAUMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 360mOhm @ 2.7A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 41W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 140µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 555 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Инвентаризация: 6456
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Инвентаризация: 661
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Инвентаризация: 35667
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Инвентаризация: 3464
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Инвентаризация: 2416
MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Инвентаризация: 81786
650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Инвентаризация: 370
HEATSINK AND CLIP FOR TO-220 BLK
Инвентаризация: 11165
TO-220 AUTO CLIP HEAT SINK
Инвентаризация: 39
