- Модель продукта AS1M025120P
- Бренд Anbon Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 90A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 463W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 15mA
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
- ВГС (Макс) +25V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 195 nC @ 20 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3600 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Инвентаризация: 59
SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Инвентаризация: 363
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Инвентаризация: 1283
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Инвентаризация: 1603
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 259
SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
Инвентаризация: 119
650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Инвентаризация: 370
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Инвентаризация: 386
