Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerVDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Ta), 35A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 11A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика 8-HSMT (3.2x3)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2750 pF @ 20 V