- Модель продукта SCT2160KEHRC11
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание 1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1874
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 22A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 208mOhm @ 7A, 18V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 165W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 2.5mA
- Пакет устройств поставщика TO-247N
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
- ВГС (Макс) +22V, -6V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 62 nC @ 18 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1200 pF @ 800 V
- Квалификация AEC-Q101