Инвентаризация:1874

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 22A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 208mOhm @ 7A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 165W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 2.5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247N
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -6V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 62 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1200 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

Инвентаризация: 2220

1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

Инвентаризация: 450

SICFET N-CH 1200V 55A TO247N

Инвентаризация: 1584

SICFET N-CH 1200V 55A TO247N

Инвентаризация: 871

650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 445

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 842

1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 443

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 0

Top