Инвентаризация:2424

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C
  • Технологии SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 66A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 29mOhm @ 40A, 12V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 306W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 6V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 750 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 37.8 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1400 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 120

MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3

Инвентаризация: 642

SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 497

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 285

SICFET N-CH 650V 85A TO247-3

Инвентаризация: 948

MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3

Инвентаризация: 4376

750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Инвентаризация: 762

750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Инвентаризация: 767

SICFET N-CH 750V 28A TO247-4

Инвентаризация: 592

Top