Инвентаризация:2448

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 85A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 35mOhm @ 50A, 12V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 441W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 6V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 51 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-3

Инвентаризация: 912

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 120

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 9107

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 590

MOSFET N-CH 650V 65A TO263

Инвентаризация: 4623

1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA

Инвентаризация: 1501

750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Инвентаризация: 924

SICFET N-CH 750V 120A TOLL

Инвентаризация: 1356

Top