Технические детали

• Пакет/кейс 3-UDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 360mV @ 100mA, 2A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 1µA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 3V
• Частота – переход 220MHz
• Пакет устройств поставщика HUML2020L3
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 4 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 V
• Мощность - Макс. 1 W