Инвентаризация:4392

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 115A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 9.8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.4W (Ta), 104W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8 (Type UX)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 162 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6855 pF @ 20 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 1489

MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060

Инвентаризация: 4674

MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 3253

MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 5000

MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK

Инвентаризация: 27308

Top