Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 11A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN2020MD-6
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20.6 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 840 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363

Инвентаризация: 36854

MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Инвентаризация: 88382

MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23

Инвентаризация: 23410

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 10880

Top