Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 41A (Tj)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 42W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 13µA
• Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-33
• ВГС (Макс) ±16V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16.4 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1205 pF @ 30 V