- Модель продукта IPP60R199CPXKSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1932
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 199mOhm @ 9.9A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 139W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 660µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO220-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 43 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1520 pF @ 100 V