Инвентаризация:1850

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 103A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28mOhm @ 60A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 535W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 20mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 203 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2890 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOUNTING KIT TO-220

Инвентаризация: 7088

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247

Инвентаризация: 2

SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3

Инвентаризация: 403

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 738

SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3

Инвентаризация: 365

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 1130

Top