Инвентаризация:7491

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8SCD
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Ta), 108A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2600pF @ 15V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4mOhm @ 7A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 60nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8SCD

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 25A 8LSON

Инвентаризация: 15881

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

Инвентаризация: 53410

MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12

Инвентаризация: 20515

MOSFET 2N-CH 30V 28A PPAK 1212-8

Инвентаризация: 11260

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8X2SON

Инвентаризация: 6549

Top